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磁控溅射 气相沉积 PECD

磁控溅射 气相沉积 PECD

用于镀制各种单层膜、多层膜系,可实现单靶独立、三靶轮流、三靶共溅射等溅射模式。同时可以实现反应磁控溅射,制备氮化物,氧化物等,可镀金属及导磁金属、合金、化合物、半导体、介质复合膜和其它化学反应膜。作为试验设备来说达到了的性能价格比。

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  • 分析仪器,物理仪器,化学仪器,力学试验机

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  • 地   址:
    湖北 武汉 洪山区 武汉市东湖新技术开发区关南工业园关南四路1层09号
产品特性:非标定制是否进口:否产地:武汉
加工定制:是品牌:惠恩普型号:HEP

磁控溅射 气相沉积 PECD详细介绍

一、系统的主要组成及技术指标

系统由真空腔室、旋转样品架、磁控溅射靶、铠装加热器、抽气系统、真空测量、工作气路、电控系统等各部分组成。

极限真空优于:6.0.0x10-5Pa(经烘烤除气后)

真空漏率小于2.0x10-8Pa.l/S

系统短时间暴露大气并充干燥氮气后,再开始抽气,30分钟可达到6.6x10-4Pa;

停泵关机12小时后真空度:≤5 Pa

1、 真空室组件:1套

真空室为圆筒形前开门结构,尺寸Ф450mmx400mm,全不锈钢结构。可内烘烤到100~150℃,选用不锈钢材料制造,氩弧焊接,表面进行电化学抛光国内钝化处理,接口采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封;手动前开门结构;靶安装在下盖板,基片转台在上法兰。

真空室组件上焊有各种规格的法兰接口如下:

1.1、   CF100法兰接口:1个(观察窗口);

CF63法兰接口:1个(观察窗口);

1.2、CF16法兰接口:2个(1路进气管路、放气阀);

1.3、CF150法兰接口:1个(接分子泵);

1.4、RF300法兰接口:1个(用来安装磁控靶和靶挡板)

1.5、RF300法兰接口:1个(用来安装样品台)

1.6、CF35法兰接口:5个(接高真空电离规管、旁抽口、陶封引线,备用2个);

1.7、CF16法兰接口:2个(备用);

2、磁控溅射靶组件:3套

2.1 、靶材尺寸:Φ75mm(三只靶其中一只为强磁靶溅射导磁材料另两只为弱磁靶溅射非导磁材料);

2.2 、弱磁两支、强磁靶一支:射频溅射与直流溅射兼容,靶内有水冷;配手动挡板。

2.3 、3个靶可共同向下面的样品中心溅射,靶与样品距离80~130mm可调。


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